IRFP32N50K
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
500 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.54 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
––– 0.135 0.16
V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
3.0
––– 5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 50
μA V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
––– ––– 250
μA V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
28
120
48
54
5280
550
45
5630
155
265
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 32A
190
I
D
= 32A
59
NC V
DS
= 400V
84
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 32A
ns
–––
R
G
= 4.3
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
32
A
130
––– ––– 1.5
V
––– 530 800
ns
––– 9.0 13.5
C
––– 30 –––
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 32A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 32A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.87mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 32A,
I
SD
≤
32A ， di / dt的
≤
296A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
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