先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 10
A（最大） @ V
DS
= 200V
低
DS （ ON）
: 0.144
（典型值）。
1
IRFP240A
BV
DSS
= 200 V
R
DS （ ON）
= 0.18
I
D
= 20 A
TO-3P
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25
o
C)
连续漏电流（T
C
=100
o
C )
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
2
O
1
O
1
O
3
O
价值
200
20
12.7
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
o
80
+ 30
_
267
20
18
5.0
180
1.45
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.69
--
40
o
单位
C / W
版本B
1999仙童半导体公司
