IRFP140
典型性能曲线
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
除非另有规定编
（续）
3000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
2400
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1800
1.15
C，电容（pF ）
1.05
C
国际空间站
0.95
1200
C
OSS
0.85
600
C
RSS
0.75
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
0
0
2
5
10
20
50
100
T
J
，结温（
o
C)
V
DS
，漏源极电压（ V）
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
20
g
fs
，跨导（ S）
16
T
J
= 25
o
C
I
SD
，源极到漏极电流（A）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
≥
50V
10
3
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
10
2
12
T
J
= 175
o
C
8
T
J
= 175
o
C
10
4
T
J
= 25
o
C
1
0
0.6
1.2
1.8
2.4
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
3.0
0
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图12.跨VS漏极电流
图13.源极到漏极二极管电压
20
V
GS ，
门源电压（ V）
I
D
= 34A
16
V
DS
= 20V
12
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
8
4
0
0
12
24
36
48
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图14.栅极至源极电压Vs栅极电荷
2002仙童半导体公司
IRFP140版本B
