IRFR/U3518PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.09
24
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
29
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
34
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
37
11
12
12
25
37
13
1710
270
33
1780
170
330
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
56
I
D
= 18A
–––
nC
V
DS
= 40V
–––
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 40V
–––
I
D
= 18A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
160
18
11
单位
mJ
A
mJ
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
38
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 150
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
––– 77 –––
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A
––– 210 –––
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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