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IRF9540NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
-100
–––
–––
-2.0
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-0.11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
73
13
38
13
64
40
45
4.5
7.5
1450
430
230
–––
–––
117
-4.0
–––
-50
-250
100
-100
110
20
57
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
ns
nC
nA
V
m
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
= -14A
V
DS
= -50V ，我
D
= -14A
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -14A
V
DS
= -80V
V
GS
= -10V
V
DD
= -50V
I
D
= -14A
R
G
= 5.1
V
GS
= -10V
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
f
f
f
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
140
890
-23
A
-92
-1.6
210
1340
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -14A ，V
GS
= 0V
的di / dt = -100A / μs的
T
J
= 25 ° C，I
F
= -14A ，V
DD
= -25V
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.88mH
R
G
= 25, I
AS
= -14A 。 （参见图12）
I
SD
≤
-14A ， di / dt的
≤
-620A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
当安装在1"方形板（ FR- 4或G- 10
材料）。对于推荐的足迹和焊接
技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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