IRF840S
功率MOSFET
V
DSS -
500V ，R
DS （ ON）
= 0.85欧姆，我
D
= 8.0 A
D
G
S
N沟道
符号
在电气及特征
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 500V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 400V
DC
, V
GS
= 0V
DC
TJ = 125℃
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
价值
民
500
典型值
最大
单位
伏特
A
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1300
310
120
14
49
23
20
-
25
250
100
-100
4.0
0.85
63
9.3
3.2
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 4.8A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 8.0A ， TP = 300μS
V
DD
= 250V
DC
, I
D
= 8.0A ，R
G
= 9.1
R
D
= 31
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 8.0A
V
DS
= 400V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
-
-
-
-
-
-
-
8.0
32
2.0
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 20V
500
8.0
32
125
62
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55 + 150℃
最大存储温度范围（ TSTG ） -55 + 150℃
机械尺寸
案例SMB 220塑料
暗淡
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
m
n
p
尺寸
单位为毫米
英寸
民
最大
民
最大
9.85
14.61
8.51
1.27
4.08
1.14
1.15
1.78
0.38
0.51
0.51
10.67
15.88
1.65
9.65
1.78
4.83
1.40
1.400
2.79
0.77
0.99
0.89
0.380
0.575
0.335
0.050
0.180
0.045
0.045
0.070
0.015
0.020
0.020
0.420
0.625
0.065
0.380
0.070
0.190
0.055
0.055
0.110
0.029
0.038
0.35
a
c
4
d
1
2
3
f
g
b
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