IRF840AS/LPbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + C ，C
gs
gd
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
20
8.0
I
D
= 7.4 A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10000
16
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
12
100
8
10
CRSS
4
1
1
10
100
1000
0
测试电路
见图13
30
0
10
20
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
10
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
10
100us
1ms
1
1
T
J
= 25
°
C
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.5
0.8
1.1
1.4
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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