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先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ44NS ）
通孔低调（ IRFZ44NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
G
IRFZ44NSPbF
IRFZ44NLPbF
D
PD - 95124
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.0175
I
D
= 49A
S
描述
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知
为，为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为，由于其低的内高电流的应用
连接性和功耗最高2.0W的
典型的表面贴装应用。
通孔版（ IRFZ44NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
D 2白
TO-262
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
49
35
160
3.8
94
0.63
± 20
25
9.4
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.5
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/18/04
