IRFZ34NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
正向跨导
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
–––
–––
2.0
6.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.052
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
49
31
40
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
34
I
D
= 16A
6.8
NC V
DS
= 44V
14
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 16A
ns
–––
R
G
= 18
–––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
700 –––
V
GS
= 0V
240 –––
pF
V
DS
= 25V
100 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 29
展示
A
G
整体反转
––– ––– 100
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 57
86
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 130 200
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ34N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
