IRF640NPbF/SPbF/LPbF
2500
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
I
D
=
11A
16
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
C，电容（pF ）
1500
西塞
12
1000
8
科斯
500
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
VDS漏 - 源极电压（ V）
,
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
100
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 175
°
C
10
100
10us
100us
1ms
1
10ms
T
J
= 25
°
C
1
10
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
0.1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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4
