IRF634N/S/LPbF
1200
20
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
I
D
= 4.8A
V
DS
= 200V
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
16
C，电容（pF ）
西塞
800
COSS = C + Cgd的
ds
12
600
科斯
8
400
CRSS
200
4
0
1
10
100
1000
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
100sec
T
J
= 175
°
C
1
1
1msec
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
100
T
J
= 25
°
C
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10msec
1000
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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