应用信息
图1示出了所需的基本连接
操作。电源应该被绕过
0.1μF钽电容靠近器件引脚。该
输出检测（引脚8 ）和输出参考（引脚10 ）
应该是低阻抗连接。阻力
几欧姆串联这些连接将
降低共模抑制了INA163的。
增益设置电阻器
增益设置一个外部电阻，R
G
，如图
图1.两个内部的3kΩ反馈电阻
激光微调中大致的3kΩ
±0.2%.
收益
是：
G
=
1
+
6000
R
G
温度漂移。这些效果可以从被推断
增益公式。作简短，直接连接
增益设置电阻，R
G
。避免在输出信号
附近的这些敏感的输入节点。
噪声性能
该INA163提供了非常低噪声，低源
阻抗。其1nV / √Hz的电压噪声提供近
与源阻抗的理论噪声性能
ANCE 200Ω的。用于实现该输入级设计
这种噪音低，导致相对较高的输入偏置
电流和输入偏置电流噪声。其结果是，在
INA163可能无法提供最佳的噪声性能
与源阻抗大于10kΩ的。源
阻抗大于10kΩ的，其他仪器仪表
放大器可以提供更好的噪声性能。
内部的3kΩ电阻的温度系数
器约
±25ppm/°C.
准确性和TCR
外部的R
G
也将有助于增益误差和
V+
0.1F
1
V
IN-
4
A1
3
3k
R
G
6k
11
INA163
6k
SENSE
8
收益
(V/V)
（ dB）的
1
0
2
6
5
14
10
20
20
26
50
34
100
40
200
46
500
54
1000
60
2000
66
R
G
(
)
NC
(1)
6000
1500
667
316
122
61
30
12
6
3
A3
3k
9
V
O
G=1+
6000
R
G
12
V
IN +
5
6k
A2
6k
REF
10
14
6 0.1F
V
V+
有时在所示
简化的形式：
注： （ 1 ） NC =无连接。
R
G
INA163
V
O
V
图1.基本的电路连接。
INA163
6
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SBOS177D
