半导体
技术参数
概述
它主要适用于用作电池供电应用的负载开关。
KMA2D3P20S
P沟道沟槽MOSFET
E
B
特点
V
DSS
= -20V ，我
D
=-2.3A.
漏极 - 源极导通电阻。
A
2
3
G
H
1
D
: R
DS （ ON）
= 130米（最大） @ V
GS
=-4.5V.
: R
DS （ ON）
= 190米（最大） @ V
GS
=-2.5V.
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
M
N
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.1
_
1.63 + 0.1
1.25 MAX
0.40+0.1/-0.05
_
2.80 + 0.15
_
1.9 + 0.1
_
0.95 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
0.00 ~ 0.15
_
0.45 + 0.08
_
1.10 + 0.1
C
N
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
)
符号评级
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
*
I
S
*
-20
10
-2.3
A
-8
-1.25
1.25
150
-55 150
100
/W
A
W
单位
V
V
K
M
SOT-23W
脉冲（注1）
源极 - 漏极二极管的电流
漏极功耗
Ta=25
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
*：表面安装1
1 FR4板
SH1
引脚连接（顶视图）
D
3
3
2
1
2
1
G
S
2007. 5. 30
版本号： 2
J
1/5
