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CYD01S18V/CYD02S18V
CYD04S18V/CYD09S18V
最大额定值
[24]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压适用于
在高阻状态...........................- 0.5V至V输出
DD
+0.5V
直流输入电压...............................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
[25]
范围
广告
产业
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2000V
（ JEDEC JESD22- A114-2000B ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
DDIO / VTTL
V
CORE
[12]
3.3V ± 165 mV的1.8V ± 100 mV的
-40 ° C至+ 85°C 3.3V ± 165 mV的1.8V ± 100 mV的
电气特性
在整个工作范围
-167
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
OZ
I
IX1
I
IX2
I
CC
描述
输出低电压（V
DD
=最小值，我
OL
= 4.0毫安）
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
输入漏电流TDI ， TMS ， MRST
工作电流
(V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA）的，
输出禁用
CYD01S18V
CYD02S18V
CYD04S18V
CYD09S18V
I
SB1[26]
I
SB2[26]
I
SB3[26]
I
SB4[26]
I
SB5
I
CORE[12]
待机电流（两个端口TTL电平）
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
最大
待机电流（一个端口TTL电平）
CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
最大
待机电流（两个端口CMOS电平）
CE
L
和CE
R
≥
V
DD
- 0.2V ， F = 0
待机电流（一个端口CMOS电平）
CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
最大
工作电流（ VDDIO =
马克斯， IOUT = 0毫安， F = 0 ）
输出禁用
CYD09S18V
90
160
55
160
115
210
75
210
–10
–1.0
225
输入漏电流除TDI ， TMS ， MRST -10
2.0
0.8
10
10
0.1
300
–10
–10
–1.0
225
输出高电压（V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安） 2.4
0.4
2.0
0.8
10
10
0.1
300
–10
–10
–1.0
2.4
0.4
2.0
0.8
10
10
0.1
-133
2.4
0.4
-100
V
V
V
V
A
A
mA
mA
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。单位
270
90
160
55
160
400
115
210
75
210
75
200
310
mA
mA
mA
mA
mA
75
mA
核心工作电流（V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时） ，输出禁用
0
0
0
0
0
0
mA
电容
[27]
产品型号
CYD01S18V
CYD02S18V
CYD04S18V
CYD09S18V
参数
C
IN
C
OUT
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3V
马克斯。
13
10
22
20
单位
pF
pF
pF
pF
注意事项：
24.对任何输入或I电压/ O引脚不能超过电期间的电源引脚。
25.脉冲宽度< 20纳秒。
26. I
SB1
, I
SB2
, I
SB3
我
SB4
不适用于CYD09S18V因为它不能被利用芯片断电时使能引脚。
27. C
OUT
还引用
I / O
文件编号： 38-06077牧师* C
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