位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第766页 > CYD09S18V-100BBI > CYD09S18V-100BBI PDF资料 > CYD09S18V-100BBI PDF资料1第1页

CYD01S18V/CYD02S18V
CYD04S18V/CYD09S18V
FLEx18 3.3V 64K / 128K / 256K / 512K ×18
同步双端口RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许同时
相同的内存位置的访问
同步流水线操作
1兆, 2兆, 4兆和9 Mbits的组织
器件
流水线式输出模式,可实现快速操作
0.18微米CMOS最佳的速度和力量
高速时钟的数据访问
3.3V低功耗
- 主动低至225毫安(典型值)
- 待机低至55 mA(一般)
邮箱功能,消息传递
全球主复位
独立的字节使能上的两个端口
商业和工业温度范围
IEEE 1149.1兼容的JTAG边界扫描
256球FBGA (1 mm间距)
计数器的环绕式控制
- 内部屏蔽寄存器控制计数器环绕式
- 反中断标志位来表示回绕
- 内存块重传操作
在地址线反回读
在地址线屏蔽寄存器回读
双芯片使两个端口,便于深度
扩张
无缝迁移到下一代双端口系列
功能说明
该FLEx18 系列包括1兆位, 2兆, 4兆和
9 - Mbit的流水线,同步,真正的双端口静态RAM的
是高速,低功耗的3.3V CMOS 。两个端口
规定,允许独立的,同时访问任何
位置在存储器中。写入到相同的位置的结果
通过在同一时间多于一个端口是不确定的。注册
关于控制,地址和数据线允许最小的建立
和保持时间。
在读取操作期间,数据被登记为下降
周期时间。每个端口包含在输入了一阵柜台
地址寄存器。经过外部装载计数器,具有
初始地址,计数器将递增地址间
应受(更多详情后) 。内部写脉冲宽度是
独立的R / W输入信号的持续时间。该
内部写脉冲是自定时的,以允许尽可能短的
周期时间。
在CE0高或低的CE1上一个时钟周期意志力
向下的内部电路,以降低静电力
消费。一个周期芯片使断言是必需的
重新激活该输出。
其他功能还包括:突发柜台内的回读
在地址线的地址值,反掩码寄存器
控制计数器环绕,计数器中断( CNTINT )
标志上的地址线屏蔽寄存器值回读,
重发功能,中断标志信息传递,
为JTAG边界扫描和异步主复位
( MRST ) 。
在这个家庭中CYD09S18V设备具有有限的功能。
请查看地址计数器和屏蔽寄存器操作
5页。
无缝迁移到下一代双端口系列
赛普拉斯提供了这个家庭的迁移路径的所有设备
用在双端口家族的下一代设备
兼容的足迹。请联系赛普拉斯销售更多的
详细信息。
表1.产品选择指南
密度
产品型号
马克斯。速度(MHz )
马克斯。访问时间 - 时钟到数据(纳秒)
典型工作电流(mA )
包
1兆位
( 64K ×18 )
CYD01S18V
167
4.0
225
2兆位
( 128K ×18 )
CYD02S18V
167
4.0
225
4兆位
( 256K ×18 )
CYD04S18V
167
4.0
225
9兆位
( 512K ×18 )
CYD09S18V
133
4.7
270
256FBGA
256FBGA
256FBGA
256FBGA
(17毫米× 17mm)的(17毫米× 17mm)的(17毫米× 17mm)的(17毫米× 17mm)的
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-06077牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年5月5日