CY2048WAF
闪存可编程电容器调谐阵列晶片
晶体振荡器（ XO ）
特点
闪存可编程电容阵列调整为低
ppm的初始频率的时钟输出
低时钟输出抖动
- 4 ps的典型。 RMS周期抖动
- ± 30 ps的典型。峰 - 峰值周期抖动
Flash的可编程分频器
双引脚编程接口
片上振荡器，从10-48 MHz的晶振运行
五个可选的后分频选项，使用参考
振荡器输出
可编程异步或同步OE和
PWR_DWN模式
2.7V至3.6V工作电压
控制上升和下降时间，输出压摆率
好处
允许通过微调的输出时钟频率
调整C
负载
晶体
允许多种编程机会纠正
错误，并控制库存过剩
启用后，输出频率编程
包装
PPM时钟输出误差可在包被调整
提供的输出配置和测试灵活性
实现低功耗运行或输出使能功能
提供灵活性，通过系统的应用
在可选择的瞬时或同步变化
输出
使封装在小尺寸，表面贴装
套餐
框图
PD ＃ / OE
（ SDATA / VPP ）
CON组fi guration
XIN
XOUT
振荡器
水晶
/ 1, 2, 4, 8, 16
OUT
（ SCL ）
VDD
VSS
模垫说明
H 2 O RIZ 0：N TA升S·C肋骨ê
1
VDD
笔记
:
OUT
6
X（最大） ： 980
m,
Y（最大） ： 988
m
V RTIC A L
S·C肋骨ê
Y（米一X）
2
XOUT
X IN
P D＃ / O ê
抄写员： X = 70
m,
Y = 86
m
焊接区窗口： 85
m
x 85
m
焊盘间距： 175
m
（分）
晶圆厚度： 11密耳（典型值）。
3
7C80330A
VSS
5
4
即＃ /重V
X （M一X）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07738修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年12月12日
