CY2037
绝对最大额定值
[3]
电源电压................................................ ..- 0.5 + 7.0V
输入电压.............................................. -0.5 V到V
DD
+0.5
储存温度（无冷凝） .... 55 ° C至+ 150°C
结温................................. -40 ° C至+ 100°C
静电放电电压........................................... > 2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作条件
参数
V
DD
T
AJ [4]
C
TTL
电源电压（ 3.3V ）
电源电压（ 5.0V ）
工作温度，结
马克斯。对TTL电平输出容性负载
V
DD
= 4.5-5.5V ，输出频率= 1-40兆赫
V
DD
= 4.5-5.5V ，输出频率= 40-133兆赫
马克斯。对CMOS电平输出容性负载
V
DD
= 4.5-5.5V ，输出频率= 1-66.6MHz
V
DD
= 4.5-5.5V ，输出频率= 66.6-133MHz
V
DD
= 3.0-3.6V ，输出频率= 1-40兆赫
V
DD
= 3.0-3.6V ，输出频率= 40-100兆赫
V
DD
= 2.7-3.0V ，输出频率= 1-66兆赫
参考频率，输入晶体。基本的调整晶体只。
上电时间为所有VDDS达到指定的最低电压（电源斜坡
必须是单调）
10
0.05
描述
分钟。
2.7
4.5
–10
马克斯。
3.6
5.5
+100
50
25
50
25
30
15
15
30
50
单位
V
V
°C
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
兆赫
ms
C
CMOS
X
REF
t
PU
电气特性
在整个工作范围（部分的特点，采用20引脚SOIC封装，与外部
水晶，电气特性可能会改变与其它封装类型）。
参数
V
IL
V
IH
V
OL
V
OHCMOS
V
OHTTL
I
IL
I
IH
I
DD
I
DDS[5]
R
UP
描述
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输出电压
高层次的输出电压，
CMOS电平
高层次的输出电压，
TTL电平
输入低电平电流
输入高电流
电源电流，
卸载
待机电流
输入上拉电阻
测试条件
V
DD
= 4.5V–5.5V
V
DD
= 2.7V–3.6V
V
DD
= 4.5V–5.5V
V
DD
= 2.7V–3.6V
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，我
OL
= 16毫安
V
DD
= 2.7V - 3.6V ，我
OL
= 8毫安
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，我
OH
= -16毫安
V
DD
= 2.7V - 3.6V ，我
OH
= -8毫安
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，我
OH
= -8毫安
V
IN
= 0V
V
IN
= V
DD
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，输出频率< = 133MHz的
V
DD
= 2.7V - 3.6V ，输出频率< = 100 MHz的
V
DD
= 2.7V–3.6V
V
DD
= 4.5V–5.5V, V
IN
= 0V
V
DD
= 4.5V–5.5V, V
IN
= 0.7V
DD
1.1
50
10
3.0
100
20
V
DD
– 0.4
V
DD
– 0.4
2.4
10
5
45
25
50
8.0
200
2.0
0.7V
DD
0.4
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
0.2V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
MΩ
kΩ
μA
I
OE_CLKOUT
CLKOUT下拉电流V
DD
= 5.0
笔记
3.强调大于表中所列，可能会损害器件的寿命。
4.本品以裸片形式出售，以便操作条件为模具指定，或结温
5.如果使用外部参考电压，则需要停止功率在基准（设定的参考到LOW ）向下
文件编号： 38-07354牧师* D
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