HMC526
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
安装&粘接Techiniques的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或与
导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注） 。
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线
衬底被建议用于使射频和从芯片（图1） 。如果
0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基片必须用的模具应
提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的
所述基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米
（ 4密耳）厚的模具到0.150毫米（ 6 mil）厚的钼散热器（钼片）
然后将其附连到接地平面（图2） 。
微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以
尽量减少焊线长度。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3-
密耳）。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
3
调音台 - CHIP
3 - 161
射频接地平面
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
储存：
所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护
容器，然后密封在防静电保护袋发货。一旦
密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应存放在干燥
氮气环境。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。不要试图清理
使用液体清洁系统的芯片。
静态灵敏度：
按照ESD防范措施，以防止> ± 250V ESD
罢工。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。
使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：
手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或
锋利的一对弯曲的镊子。在芯片的表面具有脆弱空气桥和
不应该触及真空夹套，镊子，或手指。
0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图1 。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
射频接地平面
0.150毫米（ 0.005 “）厚
钼标签
0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图2中。
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶型坯
或用导电环氧树脂。安装面应清洁，
在佛罗里达州。
共晶芯片粘接：
甲二十零分之八十零金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度和模具温度
265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。请勿将芯片
到温度高于320 ℃下进行20秒以上。应所需的擦洗的不超过3秒
附件。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角绕观察
一旦芯片的外围被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
球或楔形接合用0.025毫米（ 1密耳）直径的纯金丝建议。热超声引线键合，其标称阶段
推荐的150℃的温度和40 50克或18至22克楔焊力的球的结合力。利用
超声波能量的最小电平，以实现可靠的引线接合。线接合应该开始在芯片上，并端接在
封装或衬底。所有键应该是尽可能的短<0.31毫米（12密耳）。
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