微波公司
HMC268LM1
V
01.0900
SMT低噪声放大器MMIC 20 - 32 GHz的
F
EBRUARY
2001
特点
SMT毫米波套餐
概述
该HMC268LM1是一个两阶段的GaAs MMIC低
噪声放大器（LNA）中的SMT无铅芯片
载封装覆盖20至32千兆赫。该LM1
是真正的表面安装宽带毫米波
包提供低损耗&出色的I / O匹配，
保持MMIC芯片的性能。利用
砷化镓pHEMT工艺设备提供2.6分贝
噪声系数15 dB增益和13 dBm的输出
功率偏置电源为+ 4V @ 45毫安。该
包装LNA能够节约PCB SMT
组件，用于毫米波的点至点岭
奥斯， LMDS ，卫星通信及应用。作为一个
替代芯片和线混合动力总成
该HMC268LM1省去了
引线键合，从而提供了一个一致的CON-
nection界面为客户。所有数据是用
该非密封，环氧树脂密封LM1打包
LNA的设备安装在一个50欧姆的测试夹具。
1
A
MPLIFIERS
卓越的噪声图：
15分贝增益
2.6分贝
P1 dB的输出功率： +13 dBm的
SMT
保证性能，
参数
频率范围**
收益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电压（ VDD）的
电源电压（ VGG1 &Vgg2 ）
电源电流（ IDD）
VDD = + 4V * ， -55至+85摄氏度
典型值。
20 - 26
11
14
2.5
8
12
26
7
13
13
33
11
16
22
4.0
-0.15
45
4.25
0.0
50
23
9
14
17
3.75
-2.0
17
3.2
13
MAX 。 MIN 。
典型值。
26 - 30
15
2.6
7
8
28
13
17
22
4.0
-0.15
45
4.25
0.0
50
23
9
15
15
3.75
-2.0
18
3.4
12
MAX 。 MIN 。
典型值。
30 - 32
15
2.8
7
7
28
13
18
21
4. 0
-0.15
45
4.25
0.0
50
18
3.8
MAX 。单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
3.75
-2.0
* VDD = + 4V ，调整VGG1 & Vgg2伏之间-2.0至0.0 ，实现独立同= 45 mA的电流。
**可接受的增益， NF peformance是可以实现降低到17千兆赫。
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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