HIP1020
表1.设备- BAY MOSFET选择指南外设功率控制
Intersil公司
产品型号
HUF76105DK8
安装 - PAD
区域（在
2
)
0.05
包
SO-8
双
r
DS （ ON）
(m)
63
51
48
HUF76113DK8
or
HUF76113T3ST
HUF76131SK8
0.08
0.05
SOT223
SO-8
单身
单身
0.05
SO-8
双
43
40
37
17
16
15
HUF76143S3S
注意事项：
4.最大，平均电流水平达到或超过了30岁“峰”设备湾指定的级别。
5.最大峰值电流水平达到或超过器件湾指定级别为100μs的“瞬间” 。
0.31
TO-263
单身
7
公共汽车
（电压）的
12
5
3.3
12
5
3.3
12
5
3.3
3.3
最大
平均电流
≤3A
（注4 ）
≤1A
≤1A
≤3A
（注4 ）
≤2A
≤1.5A
≤6A
（注4 ）
≤5A
（注4 ）
≤4A
≤9A
（注4 ）
最大
峰值电流
≤7A
（注5 ）
≤2A
≤1.25A
≤11A
（注5 ）
≤2.5A
≤1.5A
≤25A
（注5 ）
≤6A
（注5 ）
≤4A
≤9A
（注5 ）
表1中的MOSFET的基础上，被选定
假设至多2％的5V或3.3V总线的
电压可能出现在整个5V或3.3V的MOSFET ，并且
该12V总线电压至多为4％的可能出现在整个
12V的MOSFET。最坏情况下的电压降时
在最大 - 给予100μs的电流瞬变过程
峰值电流列。较长的瞬变可能并不
根据其结可容忍由MOSFET
温度前的瞬间。
在大多数情况下，给定的标准安装焊盘所在区域是必需的，以
达到最大，平均电流额定值。它假定1
盎司铜，零空溢流，并在环境温度不
超过50
o
C的安装焊盘区是近似
矩形包围的MOSFET封装面积
和它的线索。第r
DS （ ON）
数字假定该设备具有
在最大，平均 - 达到热equillibrium
电流。在一些情况下，热的能力，以及
r
DS （ ON）
可以通过使用较大的焊盘得到改善，更重
铜，空气溢流或较低的环境温度下进行。
功率MOSFET 。其结果是在钢轨的瞬时浸
电压，这会影响该设备的操作以及
已连接了其他设备的操作和
潜在主机系统本身。未经dv / dt的活化
钳，一个去耦电容将需要之间
利用宝贵的每一功率MOSFET的漏极和地
电路板空间和增加不必要的成本。该HIP1020
通过提供一种用于capacitively-一个路径来解决这个问题
耦合电流达到地面。
越来越多的上升时间
的HIP1020具有内部-斜坡电荷泵
增加电压到功率MOSFET的
预测控制的方式，允许对最软启动
类型的负载。这可能是一些类型的负载会
需要较慢的开启。这可能会出现，当一个负载有
大电容性分量或某些其他原因
需要一个非常高的启动电流。没有
外部电容C1 （参见图1 ）中，升温速率为约
5V / MS 。 HGATE和地之间的电容会减缓
上升两者的栅极电压的时间由下式给出的速率
I
HGATE
C1
= --------------------
-
dv
------
dt
(EQ.1)
保护免受不必要开启
一个dv / dt的激活钳位电路在内部连接到
LGATE （ 4针） ，并活跃在芯片未通电。它
被激活当对LGATE或HGATE电压
上涨过快，并立即提供了一个低
阻抗的接地通路，无论是GATE引脚的电流。
的dv / dt的活化的钳位电路的目的是防止
在炎热的功率MOSFET的不需要的转
插入事件。当插入一个设备，海湾周边
入托架，电源引脚上的外设被带到
与在已经通电的配合触点的接触
海湾。这导致在一个非常快速上升的电压边缘
功率MOSFET的漏极可注入电流
通过在栅 - 漏电容和简要地Y旋
5
在等式1中， C1是电容器的法拉所需的值
实现的dv / dt ，用V / s的上升速率，并且我
HGATE
是目前
销4在安培定的输出，如图中的“电气
特定网络阳离子“本数据手册的部分。图2至
图5表示栅极电压的波形为C 1的选择的值。
