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HGTG18N120BND
数据表
三月
2007
54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG18N120BND是
非穿通
（ NPT ）
IGBT的设计。这是MOS门控高的新成员
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
具有MOSFET的高输入阻抗和低的导通
态传导损耗双极晶体管。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49304 。
特点
54A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG18N120BND
包
TO-247
BRAND
18N120BND
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2007仙童半导体公司
HGTG18N120BND Rev.C
