L4972A
表3.绝对最大额定值
符号
V
11
V
11
V
20
I
20
V
I
V
4
, V
8
V
3
I
3
V
2
, V
7
, V
9
,
V
10
I
2
I
7
I
8
P
合计
T
J
, T
英镑
（ * ） SO- 20
参数
输入电压
输入工作电压
输出直流电压
输出峰值电压在t =为0.1μs F = 200KHz的
最大输出电流
自举电压
自举工作电压
输入电压的引脚4 ， 12
复位输出电压
复位输出灌电流
输入电压的引脚2 ， 7 ， 9 ， 10
复位延时灌电流
误差放大器输出灌电流
软启动灌电流
在T总功率耗散
引脚
≤
90°C
在环境温度Tamb = 70 ° C（无铜区在PCB ）
结温和存储温度
价值
55
50
-1
-5
内部限制
65
V
11
+ 15
12
50
50
7
30
1
30
5 / 3.75(*)
1.3/1 (*)
-40至150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
V
mA
A
mA
W
W
°C
表4.热数据
符号
R
第j个销
R
日J- AMB
参数
热阻结销
热阻结到环境
最大，
最大，
POWERDIP
12
60
SO20
16
80
单位
° C / W
° C / W
3
电路工作原理
该L4972A是2A单片降压开关稳压器中实现了在连续模式下工作
新的BCD技术。此技术允许分离的垂直DMOS功率晶体管的集成
加上混合CMOS /双极型晶体管。
该装置可在输出电压从5.1V可调至40V输出2A和包含诊断和
控制功能，使得它特别适合于基于微处理器的系统。
3.1框图
该框图说明了DMOS功率晶体管和PWM控制环路。集成功能
包括参考电压微调至5.1V ± 2 ％ ，软启动，欠压闭锁，振荡器feedfor-
病房的控制，逐个脉冲电流限制，热关断，最后复位和电源故障电路。该
复位和电源失效电路，用于微处理器指示系的状态提供一个输出信号
统。
器件导通的11V左右具有典型1V滞后效应，所以这个门槛porvides正确的电压，
的DMOS栅极和滞后效应的驱动阶段防止不稳定性。
外接自举电容充电至12V由内部参考电压是必要的，以提供cor-
矩形栅极驱动功率DMOS 。该驱动电路能够提供和吸收周围的峰值电流
0.5A到DMOS晶体管的栅。当前，在DMOS晶体管，一个典型的转换时间是
为50ns 。由于快速的换向开关频率高达200kHz是可能的。
PWM控制环路由一个锯齿波振荡器，误差放大器，比较器，锁存器和输出的
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