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韩光
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
从CK / CK DQS进出时间
从CK / CK的输出数据的访问时间
数据选通边缘到输出的数据边缘
阅读序言
阅读后同步
从CK- / CK数据输出高阻抗的时间
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS -保持时间
DQS -在下降沿到CK上升沿的建立时间
DQS -在下降沿到CK上升保持时间
DQS -在高电平宽度
DQS -在低电平宽度
DQS -循环时间
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新写命令
退出自刷新到银行主动命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
DQS写后记的时间
注意事项：
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
HZQ
t
DQSS
t
WPRES
t
WPREH
t
DSS
t
DSH
t
DQSH
t
DQSL
t
DSC
t
IS
t
IH
t
MRD
t
DS
t
DH
t
DIPW
t
PDEX
t
XSW
t
XSA
t
XSR
t
REF
t
QH
t
WPST
0.45
0.45
-0.8
-0.8
-
0.9
0.4
-0.8
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
1.1
1.1
16
0.6
0.6
2
10
116
80
200
15.6
0.35
0.25
1.1
0.55
0.55
+0.8
+0.8
+0.6
1.1
0.6
+0.8
1.25
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.5
1.75
10
95
75
200
15.6
0.35
0.25
1.1
0.55
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
HDD16M64D8W
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.5
1.75
10
1.1
0.55
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
75
200
15.6
0.35
0.25
ns
周期
us
t
CK
t
CK
4
1
3
2
1.最大连拍数量刷新周期： 8
2.具体要求是， DQS有效（高或低）或本CK边缘之前。所示的情况下（ DQS从去
High_Z为逻辑低电平）适用时，没有写以前在总线上的进步。如果先前写在进步，
DQS可以在此时是高，这取决于吨
DQSS
.
3.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该设备将具有巨大的价值经营此参数，
但系统的性能（总线周转）将相应降低。
4.写命令可以与T应用
RCD
该命令后满意。
5.对于已注册的DIMM ，T
CL
和T
CH
是
≥
包括两个半周期抖动的期间（t 45％的
JIT
PLL的（惠普））和半抖动由于
串扰（T
JIT
对DIMM （串扰） ） 。
6.输入建立/保持摆率降额
输入建立时间/保持斜率
Δ
t
IS
（V / ns的）
（ ps的）
0.5
0
0.4
+50
0.3
+100
Δ
t
IH
（ ps的）
0
+50
+100
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REV 2.0 （ November.2002 ）
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韩光电器有限公司。
