功率晶体管
2SB1251
PNP硅外延平面型达林顿
进行功率放大
0.7±0.1
补充2SD1891
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
单位：mm
7.5±0.2
s
特点
q
q
q
q
14.0±0.5
最佳的30W高保真输出
高盼着电流传输比H
FE
： 5000到30000
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
： < -3.0V
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
–110
–90
–5
–7
–4
40
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
16.7±0.3
φ3.1±0.1
4.0
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220全包套餐（一）
3
内部连接
C
B
E
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= -110V ，我
E
= 0
V
CE
= -90V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -30mA ，我
B
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= –1A
V
CE
= -5V ，我
C
= –3A
I
C
= -3A ，我
B
= -3mA
I
C
= -3A ，我
B
= -3mA
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 1MHz的
I
C
= -2A ，我
B1
= -2mA ，我
B2
= 2毫安，
V
CC
= –50V
20
1.0
0.8
1.0
–90
2000
5000
30000
–3.0
–3.0
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
–100
–100
–100
单位
A
A
A
V
FE2
等级分类
Q
P
5000 8000 15000 30000
秩
h
FE2
1
