更小，更薄，更快，温度更低&更安全的充电开关元件
充电开关
设备类型
FET单
低V
CE （ SAT ）
BJT
FET +肖特基
FET双
包
WDFN 2×2毫米
NTLJS11P
NSS1500UWT1G
NTLJF117P
NTLJD115P
SOT-23/TSOP-6
NTGS ???? P
NSS0100LT1G
NTGF1P
NTGD161P
ChipFET
NTHS ？ 101P ， NTHS5 ?? 1
NSS500CF8T1G
NTHD ？ 101F ， NTHD ？ P0 ？F的
NTHD ？ 10 ？ P， NTHD ?? 01P
主要特点
热性能>1.5 W
封装面积小？毫米
低调<0.8毫米
充电开关
单个FET
BJT
V
IN
R
SNS
VCC
ISNS
PMU0
VSNS
ISEL
R
ISEL
+
双FET
FET +
肖特基
GND
LED
+
C
in
C
+
CFLG
CMP
C
OUT
典型的开关元件
典型充电开关电路
整流器管理大国小包装
IF ，正向
电流（安培）
肖特基整流器
设备
MBRM110E
MBRM10E
MBRM10L
MBRM10
MBR050L
MBR050
MBR050
MBR10
V
RRM
10 V
0 V
0 V
0 V
0 V
0 V
0 V
0 V
V
f
0.6 V
0.6 V
0. V
0.5 V
0. V
0. V
0.6 V
0.7 V
当前
1A
1A
1A
1A
0.5 A
0.5 A
0.5 A
1A
包
POWERMITE
POWERMITE
POWERMITE
POWERMITE
SOD-1
SOD-1
SOD-1
SOD-1
10
TJ = 150℃
TJ = 125°C
TJ = 85°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.0
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.6
0.5
v
F
，正向电压（伏）
MBRM130L典型正向电压
安森美半导体
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