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第20章128 KB的闪存模块（ S12FTS128K1V1 ）
模块基地+ 0x000F
7
6
5
4
3
2
1
0
R
W
RESET
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
=未实现或预留
图20-20 。 RESERVED6
所有位读为0，不可写。
20.4
20.4.1
功能说明
Flash命令操作
被用于编程，擦除写入操作和擦除验证在本节中描述的算法。该
编程和擦除算法由状态机的时基FCLK是从派生控制
通过可编程分频器振荡器时钟。 FCMD寄存器中，以及相关联的FADDR和
FDATA寄存器操作如同一个缓冲器和一个寄存器（ 2级FIFO ），使得随着一个新的命令
必要的数据和地址可以被存储到缓冲器，而前一个命令仍在进行中。这
流水线式操作允许时优化时，对一个特定的行编程多个单词，
作为高电压产生可以保持活性在两种编程命令之间。流水线
操作还可以命令启动的简化网络连接的阳离子。缓冲区空以及指挥
完成由佛罗里达州AGS在FSTAT信号寄存器相应的中断产生，如果
启用。
接下来的几节描述：
如何写FCLKDIV寄存器
用于编程，擦除或擦除验证闪存阵列命令写序
有效闪光命令
非法FLASH操作导致的错误
20.4.1.1
写FCLKDIV注册
此前复位后发出任何Flash命令，它是连接RST必要写FCLKDIV寄存器
分振荡器时钟下降到150 kHz的范围内，以200 kHz的范围内。由于编程和擦除
定时也与总线时钟的一个函数，该FCLKDIV判定必须以这个信息转换成
帐户。
如果我们去连接NE ：
FCLK的闪光时间控制模块的时钟
TBUS作为总线时钟的周期
INT（ x）上以x的整数部分（例如INT（ 4.323 ） = 4） ，
582
MC9S12Q128
修订版1.09
飞思卡尔半导体公司
