MCR12DCM ， MCR12DCN
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计用于高容量，低成本，工业和消费
应用，例如马达控制;过程控制;温度，光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小型
钝化死的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波， 50到60赫兹，
门打开）
MCR12DCM
MCR12DCN
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
平均通态电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
C
= 90°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 90°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
C
= 90°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
600
800
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
12
7.8
100
41
5.0
0.5
2.0
-40至125
-40至150
A
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
°C
°C
价值
单位
V
可控硅
12安培RMS
600 - 800伏
G
A
K
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
方式4
标记图
YWW
R1
2DCxG
Y
WW
R12DCx
G
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零
或负栅极电压;正栅极电压不得用于并发
与在阳极上的负电位。阻断电压不应被测试
用恒定电流源，使得该装置的额定电压是
超标。
引脚分配
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 修订版5
出版订单号：
MCR12DCM/D
