MCR25D ， MCR25M ， MCR25N
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源;或地方
半波，需要硅栅极控制的设备。
特点
http://onsemi.com
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的25安培RMS
高浪涌电流能力 - 300安培
坚固耐用，经济TO- 220AB封装
玻璃钝化结可靠性和一致性
我的最小值和最大值
GT
, V
GT
和我
H
指明的
易于设计
高抗dv / dt的 - 100伏/毫秒最低@ 125°C
无铅包可用*
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MCR25D
MCR25M
MCR25N
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
25
300
373
20.0
0.5
2.0
-40到+125
-40到+150
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
1
W
A
°C
°C
2
3
4
价值
单位
V
1
2
3
可控硅
25安培RMS
400通800伏
G
A
K
记号
图
AY WW
MCR25xG
AKA
TO220AB
CASE 221A -09
方式3
A
Y
WW
x
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
= D，M或N
= Pb-Free包装
=二极管极性
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
设备
MCR25D
MCR25DG
MCR25M
MCR25MG
MCR25N
MCR25NG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;正栅极电压应不
施加的同时使用在阳极上的负电位。阻断电压
不得与恒流源进行测试，使得电压额定值
该设备被超过。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 修订版5
出版订单号：
MCR25/D
