MCR716 ， MCR718
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值断态正向电压
峰值正向阻断电流
重复峰值断态反向电压
峰值反向电流阻断
峰值通态电压
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
TC ，最大允许外壳温度（ C）
°
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
110
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
30°C
60°C
90°C
120°C
180°C
DC
30°C
105
60°C
90°C
120°C
180°C
DC
100
95
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图1.平均电流降额
图2.开启状态功耗
IT，瞬时通态电流（ AMPS ）
典型@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
R（T ） ，过渡电阻（标准化）
100
1.0
10
Z
QJC （T ）
= R
QJC （T ）
R（T ）
最大@ T
J
= 25°C
0.1
1.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10,000
V
T
，瞬时导通电压（伏）
吨，时间（ ms）的
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
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