三菱半导体砷化镓场效应管
MGF1801B
微波功率GaAs FET
描述
该MGF1801B ，中等功率砷化镓场效应管与一个N沟道
肖特基门，是专门用于S到X波段放大器
振荡器。密闭metalceramic
微带电路。
包
保证最小的寄生损失，并具有合适的结构
外形绘图
4MIN.
1
单位：毫米
4MIN.
0.5±0.15
特点
高输出功率1分贝增益压缩
P
1dB
=23dBm(TYP.)
高线性功率增益
G
LP
=9dB(TYP.)
高可靠性和稳定性
@f=8GHz
0.5±0.15
3
@f=8GHz
2
2
应用
S到X波段中功率放大器和振荡器。
2.5±0.2
质量等级
IG
推荐的偏置条件
V
DS
=6V
I
D
=100mA
参考偏置程序
1
门
2
来源
3
漏
GD-10
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
T
ch
T
英镑
* 1 ：TC = 25C
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
评级
-8
-8
250
-0.6
1.5
1.2
175
-65到+175
单位
V
V
mA
mA
mA
W
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
V
（ BR ） GDO
V
（ BR ）， GSO
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
g
m
G
LP
P
1dB
R
TH（ CH-C ）
参数
测试条件
民
-8
-8
–
150
-1.5
70
7
21.8
–
范围
典型值
–
–
–
200
–
90
9
23.0
–
最大
–
–
20
250
-4.5
–
–
–
125
单位
V
V
A
mA
V
mS
dB
DBM
° C / W
栅漏击穿电压I
G
=-200A
栅极至源极击穿电压I
G
=-200A
门源漏电流
V
GS
=-3V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=3V
饱和漏极电流
V
DS
=3V,I
D
=100A
门源截止电压
跨
V
DS
=3V,I
D
=100mA
V
DS
=6V,I
D
=100mA,f=8GHz
线性功率增益
在1分贝增益输出功率
压缩
热阻
V
DS
=6V,I
D
=100mA,f=8GHz
*1
V
f
法
* 1：通道至环境
June/2004
