R 1 3 X系列
ＴＰ３Ｘ
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＢＯ
Ｃ
Ｖ
ＢＯ
Ｅ
Ｖ
ＥＯ
Ｃ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ½
½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1P234U
等级
RT1P234M
RT1P234C
-50
-6
-50
-100
-200
200
+150
-55+150
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P234S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
极限
典型值
150
+150
-55+150
450
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＢＲ）ＣＥＯ
（
Ｉ
ＣＢＯ
½
Ｅ
Ｆ
Ｖ
Ｅ ½½
Ｃ （ ½）
Ｖ
（ Ｎ
ＩＯ ）
Ｖ
（ Ｆ ）
ＩＯ Ｆ
Ｒ
１
Ｒ ／Ｒ
１
２
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA，R
BE
=∞
V
CB
=-50V，I
E
=0
V
CE
=-5V，I
C
=-10mA
I
C
=-10mA，I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V，I
C
=-5mA
V
CE
=-5V，I
C
=-100μA
民
-50
33
-0.1
-0.8
-0.7
2.2
4.7
150
-0.3
-1.4
2.9
5.6
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
kΩ
兆赫
-0.5
1.5
3.8
V
CE
=-6V，I
E
=10mA
典型特征
输入电压
vs.collector电流
D C F R W A R D C ü R R简的Tg A IN
vs.collector电流
-10
正向直流电流增益※
Ｆ
½
Ｅ
输入ON VOLTEGE
我（上）
（ ）
Ｖ
Ｖ
1000
V
CE
=-0.2V
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
集电极电流
VS.INPUT断电压
10
-1
-10
-100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
-1000
集电极电流
Ｃ
μＡ
Ｉ（ ）
V
CE
=-5V
-100
-10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
输入电压OFF
ＩＯＦ ）
Ｖ
Ｖ
（ Ｆ
（ ）
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