RT9701
热
关闭
响应
CH1
DOWM
电流限制和短路保护
电流限制电路设计以保护系统
供给时，MOSFET开关和从损坏的负荷
造成过大的电流。电流限制阈值
在内部设置为允许最小1.1A通过
MOSFET的，但限制了输出电流，以约
CH3
热关机
1.5A的典型。当输出对地短路，就会
限制到一个恒定电流1A直到热关断或
短路条件删除。
CH2
CH1： V
EN
= 5V /格， CH3 ：我
OUT
@R
L
1Ω ： 1A /格
CH2：我
OUT
@short ： 1A / DIV ，V
IN
= 5V
V
IN
C
IN
1uF
RT9701CBL
VIN
VOUT
VIN
GND
C
OUT
VOUT
V
OUT1
V
OUT2
C
OUT
时间（ 50毫秒/格）
应用信息
该RT9701是一个高端的单N通道
MOSFET
开关与高电平有效使能输入。
输入和输出
VIN（输入）是电源连接到该电路
和输出MOSFET的漏极。 VOUT（输出）是
在输出MOSFET的源极。在一个典型的电路，
电流流过，从VIN交换机向VOUT
的负载。这两个VOUT引脚必须短于主板
并连接到负载，因此两者都做VIN引脚，但
连接到所述电源。
热关断
热关断关断输出MOSFET ，如果
芯片温度超过130 ° C和滞后20℃
强制开关关闭，直到结温度
下降到110℃。
软启动
为了消除因上游电压跌落
通过在热插拔事件的大浪涌电流，
“
软启动
”
功能有效隔离电源
从这种高容性负载。
欠压锁定
UVLO保护MOSFET的开关从开启到
输入电压超过1.8V （典型值） 。如果输入电压下降
低于1.8V （典型值） ， UVLO关断MOSFET开关。
C
IN
= 1uF的，C
OUT
= 470uF的（低ESR ）的M / B
C
IN
= 1uF的，C
OUT
= 330UF （低ESR ）上的笔记本电脑
C
IN
= 10uF的，C
OUT
= 1uF的USB设备上
图1.高侧电源开关
V
IN
C
IN
VIN
EN
RT9701CB
VOUT
VOUT
GND
V
OUT1
C
OUT
V
OUT2
C
OUT
芯片使能
图2.高侧电源开关与芯片使能
控制
筛选
以限制在热插事件输入的电压降，
从VIN连接一个1μF的陶瓷电容到地。
然而，较高的电容值会进一步降低
在输入电压下降。
从VOUT连接足够的电容到地。这
电容有助于防止寄生电感的拉
关断过程中或EMI的损坏等VOUT的负
热分离过程中的组件。它也是
必要时热满足USB规范
插件的操作。如果RT9701被植入装置端
应用最小1μF电容从VOUT到GND
建议和更高的电容值也
首选。
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2007年DS9701-13三月
