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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1311页 > S29NS-P > S29NS-P PDF资料 > S29NS-P PDF资料1第82页
数据
( Advan CE
Infor的米TIO N )
表11.3
CFI查询标识字符串
地址
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
数据
0051h
0052h
0059h
0002h
0000h
0040h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
查询独特的ASCII字符串
QRY
描述
初级OEM命令集
地址初级扩展表
备用OEM命令集( 00H =不存在)
地址备用OEM扩展表( 00H =不存在)
表11.4
系统接口字符串
地址
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
数据
0017h
0019h
0000h
0000h
0005h
0009h
000Ah
0000h
0003h
0002h
0002h
0000h
V
CC
分钟。 (写入/擦除)
D7 - D4 :伏, D3 - D0 : 100毫伏
V
CC
马克斯。 (写入/擦除)
D7 - D4 :伏, D3 - D0 : 100毫伏
V
PP
分钟。电压( 00H =无V
PP
管脚存在)
V
PP
马克斯。电压( 00H =无V
PP
管脚存在)
每一个字典型的编程时间写2
N
微秒(例如, 30微秒)
使用缓存2典型编程时间
N
微秒(例如, 300US ) ( 00H =不支持)
典型的时间扇区擦除2
N
ms
典型的时间为全芯片擦除2
N
MS ( 00H =不支持)
马克斯。每一个字编程时间[ 2
N
时代典型值]
马克斯。利用程序时间缓冲[ 2
N
时代典型值]
马克斯。时间扇区擦除[ 2
N
时代典型值]
马克斯。时间整片擦除[ 2
N
时代典型值] ( 00H =不支持)
描述
表11.5
设备几何定义(第2页1 )
地址
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
数据
位于0018h ( NS128P )
0019h ( NS256P )
001Ah ( NS512P )
0001h
0000h
0006h
0000h
0002H ( NS128P )
0002H ( NS256P )
0001H ( NS512P )
007Eh ( NS128P )
00FEH ( NS256P )
01FFh单元( NS512P )
0000h
0000h
0002h
0003H ( NS128P )
0003H ( NS256P )
0000H ( NS512P )
0000h
0080H ( NS128P )
0080H ( NS256P )
0000H ( NS512P )
0000h
[高字节]
[低字节] - 公式= > (N =密度在任何1个扇区/ 256字节)H
[高字节]
擦除块的区域2信息(小行业分会)
[低字节] - 扇区数。
器件尺寸= 2
N
字节
闪存设备接口0H = X8 ; 1H = X16 ; 2H = X8 / X16 ; 3H = X32 [低字节]
[高字节] ( 00H =不支持)
马克斯。在多字节的缓冲区写的字节数= 2的
N
[低字节]
[高字节] ( 00H =不支持)
擦除块区域内的设备数
01H =统一的部门; 02H =引导+均匀; 03H = +引导+统一引导
描述
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
擦除块区域1信息(大行业分会)
[低字节] - 扇区数。 00H = 1个扇区; 01H = 2扇区...... 03H = 4行业
[高字节]
[低字节] - 公式= > (N =密度在任何1个扇区/ 256字节)H
[高字节]
82
S29NS -P的MirrorBit
TM
快闪族
S29NS - P_00_A1 2007年2月20日

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