S29NS -P的MirrorBit
TM
快闪族
S29NS512P S29NS256P S29NS128P
512/256/128 MB（ 32/16/8的M× 16位） ， 1.8 V突发同时
读/写，复用的MirrorBit闪存
数据表
（高级信息）
特点
采用1.8 V单读/编程/擦除（ 1.70-1.95 V）
90纳米MirrorBit技术
复用的数据和地址的减少了I / O数量
同时读/写操作
全/半双工驱动器输出压摆率控制
32个字的写缓冲器
十六银行体系结构，包括
64/32/16 MB为NS512 / 256 / 128P ，分别
4个32 KB部门在存储器阵列的顶部（ NS256 / 128P ）
512 128KB扇区（ NS512P ） ， 127分之255 128KB扇区（ NS256 /
128P)
可编程线性（ 8/16/32 ），带或不带绕包
连续突发读取模式
安全硅行业区域包括128个单词
工厂及客户
20年的数据保存（典型值）
自行车耐力：每扇区100,000次（典型值）
RDY输出指示提供给系统数据
命令集兼容JEDEC （ 42.4 ）标准
硬件（ WP ＃ ）最高保护两个部门
热门引导扇区配置（ NS256 / 128P ）
握手监测RDY
提供套餐
- NS512P ： 64球FBGA （8毫米× 9.2毫米）
- NS256P / NS128P ： 44球FBGA （6.2毫米× 7.7毫米）
低V
CC
写禁止
高级行业持续和密码的方法
保护
写操作状态位指示编程和擦除
操作完成
暂停和恢复的编程和擦除命令
操作
解锁绕道程序命令，以减少编程
时间
同步或异步程序操作，
独立的突发控制寄存器的设置
V
PP
输入引脚，以减少工厂编程时间
支持通用闪存接口（ CFI ）
性能特点
读取访问时间
速度选项（兆赫）
马克斯。同步。延迟， NS （T
IACC
)
马克斯。同步。突发访问， NS （T
BACC
)
马克斯。 Asynch 。访问时间， NS （T
加
)
最大OE ＃访问时间， NS （T
OE
)
108
80
7.0
80
7.0
典型的程序&擦除时间
单字编程
有效的写缓冲器编程（V
CC
）每字
有效的写缓冲器编程（V
PP
）每字
扇区擦除（ 16千字部门）
扇区擦除（ 64千字部门）
30 s
6 s
4 s
350毫秒
600毫秒
电流消耗（典型值）
连续的突发读取@ 108 MHz的
同时操作108兆赫
节目
待机模式
42毫安
60毫安
30毫安
20 A
概述
Spansion公司S29NS512 / 256 / 128P是制造90纳米工艺技术的MirrorBit闪存产品。这些突发模式
闪存设备能够在两个单独的银行进行同时读写操作零延迟使用
复用的数据和地址引脚。这些产品可运行在高达108 MHz和使用一个单一的V
CC
1.7 V至1.95 V的
使它们非常适合当今要求苛刻的无线应用需要更高的密度，更好的性能，并降低了
功耗。
公开号
S29NS-P_00
调整
A
修订
1
发行日期
二○○七年二月二十日
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该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。
