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奥斯汀半导体公司
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
C<T
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
RC
AA
t
ACS
t
OH
t
LZCS
t
HZCS
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
-55
单位备注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
2
2
7
7
0
0
2
2
8
8
0
12
12
10
10
2
1
10
10
8
0
2
7
15
12
12
2
1
12
12
10
0
2
8
17
15
15
2
1
15
15
12
0
2
9
20
15
15
2
1
15
15
10
0
2
11
15
15
15
2
2
9
9
0
12
25
17
17
2
1
17
17
12
0
2
13
17
17
17
2
2
10
10
0
12
35
20
20
2
1
20
20
15
0
2
15
20
20
20
2
2
12
12
0
15
45
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
25
25
25
2
2
15
15
0
20
55
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
35
35
35
2
2
20
20
0
20
45
45
45
2
2
20
20
55
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6,7
4,6,7
4,6
4,6
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
t
4,6,7
4,6,7
AS8S512K32 & AS8S512K32A
修订版5.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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