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特点
工作电压： 3.3V
访问时间： 40 ns的
非常低的功耗
- 活动： 180毫瓦（最大）
- 待机： 70 μW （典型值）
宽温度范围： -55 ° C至+ 125°C
400密耳宽套餐
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.35微米工艺
闭锁免疫
200 Krads能力
SEU LET优于3兆电子伏
描述
该M65609E是组织为131072 ×8位的非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述M65609E结合了
极低的待机电流（典型值= 20 μA）与快速存取时间
在40 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
该M65609E是根据MIL的最新版本的处理方法
STD 883 （ B级或S ） ，欧空局SCC 9000或QML 。
它产生于相同的处理的栅极串联的MH1RT大海。
弧度。硬
128K ×8
3.3-volt
极低的功耗
CMOS SRAM
M65609E
牧师4158D - AERO - 6月2日
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