MC33389
飞思卡尔半导体公司
设备描述
热管理
该MC33389 ，提出了两种不同的封装。
HSOP20用于高功率应用和SO28WB 8针
到引线框架为中等功率应用。
HSOP20套餐
对于这样的包装，热流主要是垂直的，并
各热源（散热元件）可以被看作是一个
到散热器的独立的热阻。热
网络可以粗略地描述为：
图2. HSOP20简化热模型
V1电源
V2电源
可发电
SO28WB套餐
的情况下（ PIN） ，以结
th
在这里仅代表
对于自3电源的总功率1热阻
在硅源的强烈相互作用对于这样的包装。
图3. SO28WB简化热模型
总功率
T
j
（最高155 ° C）
R
THJ / C
=20°C/W
T
j
（最高155 ° C）
R
THJ / C
=18°C/W
9°C/W
6.5°C/W
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T
例
（ PIN）
T
例
（散热器）
R
THC / A
R
THC / A
（ ECU供应商相关）
T
环境
T
环境
例子
假设我
V1
= 100毫安在V
BAT
=16V,
I
V2
= 150mA输出V
BAT
= 16V （不包括CAN消费） 。
I
可以
= 50毫安在V
BAT
= 16V ，我们有：
P
V1
= 1.1W ，P
V2
= 1.65W ，P
可以
=0.55W
系统的假设：
如果T
AMB
= 85℃，和R
THC / A
= 18 ° C / W ，这给：
T
例
=T
AMB
+R
日C / A
X 3.3W = 85 + 18× 3.3 = 145℃
和T
j
V1=T
j
V2=T
JCAN
=155°C.
本实施例中表示的极限的最大功率
耗散与HSOP20 。
例子
假设我
V1
= 45毫安在V
BAT
=16V,
I
V2
= 45毫安在V
BAT
= 16V （不包括CAN消费） 。
I
可以
= 50毫安在V
BAT
= 16V ，我们有：
P
V1
= 0.5W ，P
V2
= 0.5W ，P
可以
= 0.55W因此P
总
=1.55W
系统的假设：
如果T
AMB
= 85℃，和R
THC / A
= 25 ℃/ W，这给出：
T
例
=T
AMB
+R
THC / A
X 1.55W = 85 + 25x1.55 = 124℃
和T
j
V 1 = 124 + 20× 1.55 = 155℃。
本实施例中表示的极限的最大功率
耗散与SO28WB 。
MC33389
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摩托罗拉
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