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硅双平衡HMIC
混频器850 - 1050兆赫
V 1.00
MA4EXP950H-1277
特点
n
+35 dBm的典型IIP3
n
8.3分贝典型变频损耗
n
15至+19 dBm的LO驱动器
n
完全平衡无源混频器
n
没有匹配的要求
n
低成本微型塑料MLP封装
3mm时， FQFP -N ， 16引脚
描述
M / A - COM的MA4EXP950H - 1277是一种硅单片
850 - 1050兆赫，高阻隔性，在双平衡混频器
低成本的微型表面贴装FQFP -N 3mm时， 16引脚
塑料封装。该芯片采用M / A- COM的独特HMIC
硅/玻璃过程中实现低损失的无源元件
同时保持高的阻挡硅的优点
肖特基势垒二极管。
这些混频器非常适用于GSM和CDMA蜂窝
基站基础设施应用，其中小尺寸和
高的性能是必需的。典型的应用包括
频率转换，调制和解调
无线接收机和发射机。
电气规格
1
: T
A
= 25 ° C，Z
0
= 50欧姆
参数
转换损耗
L - R分立
L - 我隔离
的R - 我隔离
RF VSWR
如果VSWR
LO VSWR
输入IP3
输入1分贝
压缩
IF 1 dB带宽
测试条件
LO驱动器= +19 dBm的
RF = -10dBm时， IF = 60 MHz的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +17 dBm的
射频电平= -10 dBm的
LO驱动器= +19 dBm的
RF = -10dBm时， IF = 60 MHz的
LO驱动器= +17 dBm的
IF = 60 MHz的
LO = 850 MHz的@ +17 dBm的
频率
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
DC - 500 MHz的
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
850兆赫
850 - 1050兆赫
DC - 200 MHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
比
比
比
比
DBM
DBM
DBM
DBM
兆赫
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
典型值
8.1
8.3
58.0
55.0
49.0
44.0
30.0
28.0
1.50:1
2.20:1
1.70:1
2.1:1
1.7:1
32
33
12.1
12.7
—
最大
9.5
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
