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布局实践
表6-11所示为MPC850的复位时序。
表6-11 。复位时序
50兆赫
NUM
R69
R70
R71
R72
R73
R74
R75
R76
R77
R78
CON组fi guration数据HRESET上升
边缘设置时间
CON组fi guration数据RSTCONF上涨
边缘设置时间
后CON组fi guration数据保持时间
RSTCONF否定
后CON组fi guration数据保持时间
HRESET否定
HRESET和RSTCONF断言
数据输出驱动器
RSTCONF否定，数据输出高
阻抗。
CLKOUT的最后一个上升沿之前芯片
三态HRESET到数据输出高
阻抗。
DSDI ， DSCK成立
DSDI ， DSCK保持时间
SRESET否定， CLKOUT上升
边缘的DSDI和DSCK样本
特征
民
CLKOUT要HRESET高阻抗
CLKOUT要SRESET高阻抗
RSTCONF脉冲宽度
—
—
340.00
—
350.00
350.00
0.00
0.00
—
—
—
最大
20.00
20.00
—
—
—
—
—
—
25.00
25.00
25.00
民
—
—
515.00
—
505.00
350.00
0.00
0.00
—
—
—
最大
20.00
20.00
—
—
—
—
—
—
25.00
25.00
25.00
民
—
—
425.00
—
425.00
350.00
0.00
0.00
—
—
—
最大
20.00
20.00
—
—
—
—
—
—
25.00
25.00
25.00
—
—
17.000
—
15.000
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
66MHz
80兆赫
FFACTOR单位
R79
R80
R81
R82
60.00
0.00
160.00
—
—
—
90.00
0.00
242.00
—
—
—
75.00
0.00
200.00
—
—
—
3.000
—
8.000
ns
ns
ns
图6-31显示了数据总线CON组fi guration的复位时序。
HRESET
R71
R76
RSTCONF
R73
R74
D [ 0:31 ] （ IN）
R75
图6-31 。重新从数据总线时序CON组fi guration
40
MPC850 （版本A / B / C ）硬件特定网络阳离子
摩托罗拉
