WTE

功率半导体

SB1020DC - SB10100DC

Pb

10A表面安装式双肖特基整流器

特点

!

!

肖特基芯片

C

J

保护环片施工

A

瞬态保护

!

低正向压降

!

低功耗，高效率

B

!

高浪涌电流能力

D

E

销1

2

3

!

为了在低电压，高频率

逆变器，续流和极性

G

保护应用

H

K

P

P

D

2

PAK/TO-263

暗淡

民

最大

9.80

10.40

A

9.60

10.60

B

4.40

4.80

C

8.50

9.10

D

2.80

—

E

1.00

1.40

G

—

0.90

H

1.20

1.40

J

0.30

0.70

K

2.35

2.75

P

尺寸：mm

机械数据

!

!

!

!

!

!

!

案例：D

2

PAK / TO- 263 ，模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：见图

重量：2.7克数（大约）

安装位置：任意

标记：型号数量

无铅：对于符合RoHS /无铅版本，

新增“ -LF ”后缀型号，见第4页

PIN 1 -

PIN 3 -

+

情况下， PIN码2

最大额定值和电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。

SB

SB

SB

SB

SB

SB

SB

SB

1020DC 1030DC 1040DC 1045DC 1050DC 1060DC 1080DC

10100DC

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流@T

C

= 100°C

非重复峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波叠加

在额定负荷（ JEDEC的方法）

正向电压

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

@I

F

= 5.0A

@T

A

= 25°C

@T

A

= 100°C

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

O

单位

20

14

30

21

40

28

45

32

10

50

35

60

42

80

56

100

70

V

V

A

I

FSM

V

FM

I

RM

C

j

R

θJC

T

j

, T

英镑

0.55

150

0.75

0.5

50

600

3.0

-65到+150

0.85

A

V

mA

pF

° C / W

°C

典型结电容（注1 ）

典型热阻（注2 ）

工作和存储温度范围

注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压

2.热阻结到外壳上安装散热片。

SB1020DC - SB10100DC

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2006韩元鼎好电子