NP86N04EHE ， NP86N04KHE ， NP86N04CHE ， NP86N04DHE ， NP86N04MHE ， NP86N04NHE
典型特征（T
A
= 25°C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 额定功率的百分比 -
%
图2 。总功耗对比
外壳温度
280
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
240
200
160
120
80
40
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
图3.正向偏置安全工作区
1000
d
ITE
IM V ）
)
L 0
on
S(
=1
R
D
V
GS
(
4所示。单雪崩能量
降额因子
800
I
D（脉冲）
I
D（ DC）的
Po
林WER
ITE派息
d
SIP
a
1m
10
s
=1
E
AS
- 单雪崩能量 - 兆焦耳
PW
0
μ
s
0
μ
700
600
500
400
300
200
100
74兆焦耳
0
25
50
75
100
125
150
175
580兆焦耳
450兆焦耳
I
AS
= 24 A
67 A
84 A
s
I
D
- 漏电流 - 一个
100
DC
10
TIO
n
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
起始物为
ch
- 起始通道温度 -
°C
Figure5 。瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 0.65 ° C / W
0.1
单脉冲
T
C
= 25°C
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
4
数据表D14235EJ4V0DS
