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PD-96911
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
辐射二级R
DS （ ON）
IRHYS597034CM 100K拉德（SI ） 0.087Ω
IRHYS593034CM 300K拉德（SI ） 0.087Ω
I
D
-20A
-20A
IRHYS597034CM
60V ， P- CHANNEL
5
技术
低电阻
TO-257AA
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
电气隔离
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-20
-13
-80
75
0.6
±20
134
-20
7.5
-4.9
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）
4.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
01/07/05
