CYTA4494D
表面贴装
双路，隔离
互补NPN PNP &
高压
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CYTA4494D
型包括一（1）的NPN高电压硅
晶体管和一（1）互补的PNP高
高压硅晶体管的封装在环氧树脂
模压SOT- 228表面贴装情况。
通过外延平面工艺制造的
这个超迷你器件非常适合高
电压应用。
标识代码：全型号
SOT- 228案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
-65到+150
62.5
°C
° C / W
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
NPN （ Q1 ）
450
400
6.0
300
2.0
PNP （ Q2）
400
400
6.0
300
2.0
单位
V
V
V
mA
W
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICBO
冰
ICBO
冰
IEBO
BVCBO
BVces
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
测试条件
VCB=350V
VCE=350V
VCB=400V
VCE=400V
VBE=4.0V
IC=100A
IC=100A
IC=1.0mA
IE=10A
IC = 1.0毫安， IB = 0.1毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=10mA
IC=50mA
IC=100mA
450
450
400
6.0
0.40
0.50
0.75
0.75
40
50
45
20
200
40
50
45
20
200
NPN （ Q1 ）
最小最大
PNP （ Q2）
最小最大
100
500
单位
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
0.40
0.50
0.75
0.75
V
V
V
V
V
100
500
100
400
400
400
6.0
100
R1 （ 2005年11月）
