TMS416400A ， TMS417400A
4194304 4位
动态随机存取存储器
SMKS889B - 1996年8月 - 修订1997年10月
D
D
D
D
D
本数据表适用于所有
TMS41x400As象征着“B”版，
修订“E”和随后几次修订
在设备的符号化部分所述。
组织。 。 。 4 194304
×
4
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
在32毫秒为2 048周期刷新
TMS417400A
在64毫秒为4 096周期刷新
TMS416400A
性能范围：
ACCESS ACCESS ACCESS READ OR
时间
时间
时间
写
TRAC
大隘社
TAA
周期
最大
最大
最大
民
50纳秒
13纳秒
25纳秒
90纳秒
60纳秒
15纳秒
30纳秒
110纳秒
70纳秒
18纳秒
35纳秒
130纳秒
DJ包装
（顶视图）
V
CC
DQ1
DQ2
W
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
D
D
D
D
D
’41x400A-50
’41x400A-60
’41x400A-70
PIN NOMENCLATURE
A[0: 11]
CAS
DQ [1： 4]
OE
NC
RAS
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/出
OUTPUT ENABLE
无内部连接
行地址选通
5 V电源
地
写使能
增强的分页模式操作使用
CAS先于RAS （ CBR ）刷新
三态输出虚掩
低功耗
高可靠性塑胶26分之24引脚
300密耳宽表面贴装小外形
J形引线（ SOJ ）包（ DJ后缀）
环境温度范围：
0 ° C至70℃
A11是NC的TMS417400A
描述
该TMS41x400A是一组16 777 216位的动态随机存取存储器（ DRAM的）设备组织成
4 194 304字的每4比特。该TMS41x400A采用国家最先进的技术，高性能，
可靠性和低功耗。
这些器件具有的50- ， 60- ，和70 ns（最大值） RAS访问时间。所有地址和数据在线路
锁存芯片，简化了系统设计。数据输出是虚掩的提高了系统的灵活性。
该TMS416400A和TMS417400A提供了二十六分之二十四引脚塑料表面贴装封装SOJ
（ DJ后缀） 。这个包是专为运行在0 ° C至70 ℃。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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