TPA032D04
10 -W立体声D类音频功率放大器
SLOS203B
1999年12月
修订后的2000年6月
应用信息
解耦数据D类EVM电源
所需的去耦电容将取决于该应用。焊盘和通孔已经
设置在EVM，可用于增加大电容（见示意图） 。剧情显示的影响
各种级别的大电容上的电源线的电压纹波如图12所示。该脉动
是最大的更高的频率。图中示出了最坏情况下的电压纹波为20千赫， 10 -W输出到一个
4 Ω负载。在所有的情况下，2个10 - F和1 1 - F陶瓷片状电容器中去耦的电源信号
从EVM 。的1μF单元被放置在紧邻IC电源引脚，以及10 μF的单位是
放在彼此相邻远一点了。
上面的跟踪显示，当只有这些电容中使用的波纹。中间的曲线显示的影响
一个额外的330 μF的铝电解电容器额定电压为25伏， 90毫欧，而对于755毫安在100千赫。在
底部走线， 330 μF电容代替额定功率为35 V， 65 390 μF铝电解电容器
毫欧和1.2 A的100 kHz的纹波电流。
结果表明，对于敏感的电路，其中最小电压纹波是必需的，较大的散
电容与低ESR应该被使用。对系统所包含的和EMI被控制，少
电容可以被使用。在输出信号中的失真的电平的差异之间的非常小的
去耦的每个级别，与20 μF大电容提供至少失真。这归因于
电容器，这是只有几毫欧，在250千赫兹开关频率的低ESR 。失真
由并联组合取得更低。输出信号的失真时，只有一个10 μF电容
使用相同20
F.
所不同的是在电源线更加明显，尽管失真
增加比20 μF电容仅略多。
纹波电压
VCC纹波电压（每格2 V ）
时间（10
微秒
每格）
图12.电源去耦
20
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