应用信息
因此，该
电源各个放大器的消散
是：
P
DISS
= P
供应
- P
OUT
(W)
2 2V
CC
P
DISS
= ----------------------
P
OUT
–
P
OUT
π
R
L
TS4990
并且获得的最大值时：
δP
DISS
-----------------
= 0
-
δP
OUT
它的值是：
P
DISS
最大
2V
CC
-
= --------------
2
π
R
L
2
(W)
注意：
该最大值只取决于电源电压和负载值。
该
效率
是输出功率和电源之间的比率：
P
OUT
πV
PEAK
-
-
η
=
------------------
=
----------------------
P
供应
4V
CC
的最大理论值达到当V
PEAK
= V
CC
，所以：
π
-
----
= 78.5%
4
4.5
该电路的去耦
需要两个电容正确绕过TS4990 ：电源旁路
电容C
s
和一偏压旁路电容器C
b
.
C
s
具有在高频区域上的THD + N的特定影响（上述7千赫）和
对电源的干扰间接影响。随着对C的值
s
1 μF的，你可以
预计THD + N水平相似，在数据表中所示。
在高频区域，如果C
s
低于1微法，其增加的THD + N和干扰
在电源轨较少过滤。
另一方面，如果C
s
高于1微法，在电源轨的干扰是
更多的过滤。
C
b
具有在较低频率上的THD + N的影响，但它的功能是将最后关键
PSRR的结果（与输入接地，并且在较低的频率区域） 。
如果C
b
低于1微法， THD + N的增大在较低频率和PSRR变差。
如果C
b
高于1微法，在较低的频率是小上的THD + N的好处，但它的好处
以PSRR是巨大的。
需要注意的是
in
具有在较低频率上的PSRR一个不可忽略的影响。较低的值
的C
in
越高的PSRR 。
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