汽车MOSFET
PD - 95509
IRFP1405PbF
特点
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HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 5.3m
I
D
= 95A
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理技术，
实现极低的导通电阻每硅片面积。另外
这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复性雪崩
投资评级。这些功能结合起来，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车应用中使用，并
各种各样的其它应用。
D
G
TO-247AC
S
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS （限热）
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
160
110
95
640
310
2.0
± 20
530
1060
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
d
h
g
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳*
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境*
y
y
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.49
–––
40
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*
R
θ
测定在T
J
约90℃的
www.irf.com
1
07/15/04
