位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第604页 > IS61WV102416ALL > IS61WV102416ALL PDF资料 > IS61WV102416ALL PDF资料1第16页
IS61WV102416ALL
IS61WV102416BLL
IS64WV102416BLL
AC波形
写周期NO 。 4
（磅，
UB
控制，后端到回写）
(1,3)
t
WC
地址
地址1
ISSI
t
WC
地址2
OE
t
SA
CE
低
WE
t
HA
t
SA
t
PBW
t
PBW
WORD 2
t
HA
UB ， LB
WORD 1
t
HZWE
D
OUT
高-Z
t
LZWE
t
HD
数据
IN
有效
数据中，未定义
t
SD
D
IN
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
UB_CEWR4.eps
注意事项：
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
= LOW ，
UB
和/或
LB
=低，
WE
=低。所有信号必须在有效状态开始写，但
任何可以拉高终止写入。该
t
SA
,
t
HA
,
t
SD
和
t
HD
定时为基准，以终止该写信号的上升沿或下降沿。
2.与测试
OE
高的前最少4纳秒
WE
= LOW放置在I / O处于高阻抗状态。
3.
WE
可以在多个地址周期和低电平保持
LB ， UB
引脚可以用来控制写入功能。
16
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
09/22/06
