时钟操作
M41T93
3.4.2
模拟校准（可编程负载电容）
校准的第二种方法采用了可编程的内部负载电容
调整（或修剪）振荡器频率。
通过设计，该振荡器用于在为0ppm的±晶体的精度在室温下
（ 25 ° C，见
图10第23页） 。
为12.5 pF的晶体，在每一侧的缺省装载
晶体为25 pF的。用于递增或递减的校准值，
电容将被添加或移除的0.25 pF的递增到晶体的每一侧。
在内部，C
负载
振荡器通过两个数字控制的电容器， C变更
XI
和
C
XO
从XI和XO引脚对地连接（见
图9第19页） 。
有效
片上串联负载电容，C
负载
，范围为3.5 pF至17.4 pF的，标称值
12.5 PF（ AC0 - AC6 = ' 0 ' ） 。
有效串联负载电容（C
负载
）为C的组合
XI
和C
XO
:
C
负载
=
1
(
1
C
XI
+
1
C
XO
)
7个模拟校准位， AC0到AC6 ，是为了调整芯片上的负载提供
电容值用于RTC的频率补偿。每个比特具有不同的权重
电容的调整。模拟校准符号（ ACS ）位决定电容
加入（ACS位= “0”，负校准）或移除（ ACS比特=“ 1 ”，正校准）。
大多数的校准调整为正（即，增加的振荡器频率
通过除去电容）由于石英晶体的典型特征，以减缓
由于温度的变化，但负校准也可用。
由于模拟校准寄存器调整，本质上是“拉”的频率
振荡器产生的频率的变化将不被使用增量电容线性
变化。支配这种机制的方程式表明，较小的电容值
模拟校准调整，将提供更大的增量。由此，较大的值
模拟校准调整将产生更小的增量频率的变化。这些
值通常各不相同，从6-10 PPM /位低端到<1 PPM /在最高位
电容设置。由模拟校准寄存器调整所提供的范围
一个典型的表面贴装晶体大约是± 30 ppm的周围AC6 - AC0 = 0默认
因为这个属性的设置（见
表5第23页） 。
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