AT89C51ID2
FL灰内存
Flash存储器EPROM增加和ROM功能与电路中的电
擦除和编程。它包含了程序存储器，具有respec- 64K字节
tively在512页的128个字节。该内存并行和串行在系统
编程（ ISP）。 ISP允许设备改变了自己的程序存储器
在软件控制下实际的最终产品。默认串行装载（引导程序）的程序
允许的闪存ISP 。
编程
不要求
外部专用编程电压。在必要请
埃森高编程电压是使用标准的V在片上产生
CC
的销
微控制器。
特点
闪内部程序存储器。
Boot向量允许用户将Flash装载代码的任何地方居住在Flash
存储器空间。这种配置提供了灵活性给用户。
在引导ROM默认的装载程序可通过串口编程，而不需要
的用户提供的加载器。
高达64K字节的外部程序存储器，如果内部程序存储器被禁用
（EA = 0）。
编程和擦除电压与标准电源。
读/编程/擦除：
按字节读取无等待状态
字节或页擦除和编程（ 10毫秒）
典型的编程时间（ 64K字节）的22S与片上串行引导程序
并行编程与87C51兼容的硬件接口，程序员
在Flash中编程加密
100K的写周期
10年的数据保留
闪存编程和
删除
在64K字节的闪存是由字节或128字节的页编程。它不是neces-
萨利擦除一个字节或编程之前的页面。一个字节或一个编程
页面包括编程前擦除自我。
有编程闪存的三种方法：
首先，在芯片上的ISP引导程序可以调用将使用低级别例程来
编程的页面。用于Flash的串行下载接口的UART 。
第二，闪存可被编程或通过擦除在最终用户应用程序
通过在Boot ROM中的公共入口调用低级例程。
第三，闪存可以利用并行方法通过使用一个被编程
传统的EPROM编程器。所采用的并行编程方法
这些器件是相似的用的EPROM 87C51但它是不相同的，并在
市售程序员需要具备的AT89C51ID2支持。
该引导程序和应用程序编程接口（ API ）例程
位于BOOT ROM 。
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